Главная страница > Полупроводники > Микросхемы > Преобразователи питания > ИС управления транзисторами
РаспечататьИС управления транзисторами 1EDN8511BXUSA1
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Current - peak output (source, sink) | 4A, 8A |
| Driven configuration | Half-Bridge, Low-Side |
| Gate type | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| High side voltage - max (bootstrap) | - |
| Input type | Inverting, Non-Inverting |
| Logic voltage - vil, vih | 1.2V, 1.9V |
| Mounting type | Surface Mount |
| Number of drivers | 1 |
| Operating temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / case | SOT-23-6 |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part status | Active |
| Rise / fall time (typ) | 6.5ns, 4.5ns |
| Supplier device package | PG-SOT23-6-2 |
| Voltage - supply | 8 V ~ 20 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
Описание
DRIVER IC
