Радиокомпоненты по запросу

Кол-во на странице:
 
VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF
590332922
 
VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF720SPBF
590332923
 
VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF740ASPBF
590332924
 
VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6
590332925
 
WM02N28M, SOT23-3, code: 2302B
590332926
 
WM03N57M, SOT23-3, code: R4
590332927
 
WM03N57M, SOT23-3, code: R4
590332928
 
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
590332929
 
WMK05N80M3, Транзистор полевой N-канал SJ-MOS M3 800В TO220-3
590332930
 
WMK15N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V
590332931
 
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
590332932
 
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
590332933
 
WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3
590332934
 
YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N
590332935
 
YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В
590332936
 
YJD25GP06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF
590332937
 
YJG110G10B, транзистор 100B 110A 113Вт PDFN5060-8L
590332938
 
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC
590332939
 
YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]
590332940
 
YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060] = SFG10S2
590332941
 
YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А, 89Вт (PDFN5060-8L)
590332942
 
YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3 = SI2324A-TP
590332943
 
YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C = IRLML0060
590332944
 
YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]
590332945
 
YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF
590332946
 
YJL2304A, [SOT-23] MOSFET транзистор N-канальный 30В 3.6А = IRLML2803TRPBF
590332947
 
YJL2304B, транзистор 30В 4А 36мОм SOT23
590332948
 
YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF
590332949
 
YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3 = DMP2110U
590332950
 
YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25
590332951
 
YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346
590332952
 
YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]
590332953
 
YJQ20NP03A, Транзистор P-канальный
590332954
 
YJQ40G10A, транзистор 100B 40A 43Вт DFN3333-8L
590332955
 
YJS05N06A, сдвоенный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 5А, 3.1Вт (SOP-8)
590332956
 
YJS12G10A, транзистор 100B 12A 3.1Вт SOP-8 (=IRF7853TRPBF)
590332957
 
YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)
590332958
 
ULN2003ADR, матрица из 7 транзисторов, драйвер на 7 каналов SO16
590332961
 
ULN2003AFWG, драйвер-расширитель на 7 каналов SO16
590332962
 
ULN2003APG, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [DIP-16]
590332963
 
ULN2003D1013TR, матрица транзисторов NPN 50В 0.5A SO16
590332964
 
ULN2004AN, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, DIP16
590332965
 
ULN2802A, матрица из восьми транзисторов Дарлингтона 500мА 50В PDIP-18
590332966
 
ULN2803A, матрица из восьми транзисторов NPN 500мА 50В DIP-18
590332968