Главная страница
Распечатать

Радиокомпоненты по запросу

ПлиткойСтроками
Кол-во на странице:
RS30N50W
RS30N50W, N-канал полевой транзистор, 500В, 30A, TO-247, аналог для FDH45N50F SIHG25N50E-GE3
REASUNOS
в наличии
RS4N80F
RS4N80F, МОП-транзистор 25 Вт
REASUNOS
в наличии
RS60R070W
RS60R070W, N-канал полевой транзистор, 600В, 47 A, TO-247, IPW60R060P7
REASUNOS
в наличии
RS65R041W
RS65R041W, МОП-транзистор , 500 Вт
REASUNOS
в наличии
RS85N150S
RS85N150S, Транзистор N-канал, 85V, 150A, TO-263. NCEP60T20D , CRST045N10N , CRSS042N10N
REASUNOS
RSF60R026W
RSF60R026W, N-канал полевой транзистор , 600В, 100A, 20 мОм, TO-247-3L
REASUNOS
в наличии
RSF60R070W
RSF60R070W, Транзистор, N-канал, 600В, 45А [TO-247] аналог STW48NM60N
REASUNOS
в наличии
RSG75N65HW
RSG75N65HW, транзистор полевой с изолированным затвором IC=75А VCES=650 В
REASUNOS
в наличии
RSM120040Z
RSM120040Z, N-канальный силовой МОП транзистор 1200 V,68 А (TO247-4 ) аналог C3M0040120K ,IMZA120R
REASUNOS
в наличии
RSM1701K0W
RSM1701K0W, N-канал SiC транзистор 1700В 5A TO-247-3 (=H1M170F1KD, C2M1000170D)
REASUNOS
SI2300A
SI2300A, [SOT-23]
=FDN337N(ON)
SI2301A
SI2301A, [SOT-23]
=NDS332P(ON)
SI2304DDS-T1-GE3
SI2304DDS-T1-GE3, транзистор, N-канал, 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
VISHAY
в наличии
SI2309CDS-T1-GE3
SI2309CDS-T1-GE3, транзистор P-канал -60В -1,2А SOT-23
VISHAY
в наличии
SI2312
SI2312, N-канальный низковольтный MOSFET, 20В, 5А, 0.35Вт (SOT-23)
HOTTECH
SI2318CDS-T1-GE3
SI2318CDS-T1-GE3, транзистор, N канал 40В 5.6A 3-Pin SOT-23
VISHAY
SI2319
SI2319, [SOT-23-3]
=SI2319(Vishay)
SI3437DV-T1-GE3
SI3437DV-T1-GE3, MOSFET-транзистор P канал 150В 1.1A TSOP6
VISHAY
в наличии
SI3900DV-T1-GE3
SI3900DV-T1-GE3
VISHAY
в наличии
SIHG20N50C-E3
SIHG20N50C-E3, транзистор N канал 560В 20А TO247AC (IRFP450/IRFP460(A/LC)
VISHAY
SIS447DN-T1-GE3
SIS447DN-T1-GE3, Транзистор, P-канал 20В 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
VISHAY
в наличии
SPP03N60C3
SPP03N60C3, Транзистор N-канал 650В 3.2А TO-220FP
INFINEON
в наличии
SPP03N60S5
SPP03N60S5, транзистор 600В Rds(on) 1.4om, 3.2A, ( BUZ90A) TO-220
INFINEON
SPP04N60C3XKSA1
SPP04N60C3XKSA1, Транзистор N-канал 650В 4.5А TO-220FP
INFINEON
в наличии
SPP17N80C3XKSA1
SPP17N80C3XKSA1, PG-TO220-3
INFINEON
в наличии
SPP20N60C3
SPP20N60C3, транзистор TO-220
INFINEON
в наличии
SPW20N60S5FKSA1
SPW20N60S5FKSA1, транзистор N канал 600В 20А PG-TO247-3
INFINEON
в наличии
SPW47N60C3FKSA1
SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 600В 47А 70мОм TO247
INFINEON
в наличии
SPW55N80C3FKAS1
SPW55N80C3FKAS1, транзистор N канал 800В 55A 85мОм, TO247-3
INFINEON
в наличии
STD17NF25
STD17NF25, транзистор N канал 30В 0.0032Ом 20A DPAK
STM
в наличии
STD4NK60ZT4
STD4NK60ZT4, транзистор N канал 600В 4А 70Вт, DPAK
STM
STD7NM80
STD7NM80, транзистор N канал 800В 6.5А 90Вт, DPAK
STM
в наличии
STD8N65M5
STD8N65M5, Транзистор полевой N-канальный 650В 7А 70Вт
STM
в наличии
STL12P6F6
STL12P6F6, Транзистор (PowerFLAT-5x6-8),
STM
в наличии
STN3P6F6
STN3P6F6, транзистор P канал 60В 3А 0.16 Ом, SOT-223
STM
STP11NK50ZFP
STP11NK50ZFP, транзистор TO-220FP-3
STM
в наличии
STP4NK80Z
STP4NK80Z, Транзисторы и сборки MOSFET
STM
в наличии
STP7NK80ZFP
STP7NK80ZFP, Транзистор SuperMESH, N-канал, 800В 1.5Ом 5.2А TO-220FP
STM
в наличии
STW15NK50Z
STW15NK50Z, MOSFET транзистор
STM
в наличии
STW26NM60N
STW26NM60N, транзистор полевой 600В 20А TO-247
STM
SUD25N15-52-E3
SUD25N15-52-E3, DPAK/TO-252AA
VISHAY
в наличии
TLE5212G
TLE5212G, транзистор 2x0.5A 4x50mA low-side SO28
INFINEON
в наличии
TLE5224G2
TLE5224G2, транзистор 2x4A Low Sw.PDSO-24-3
INFINEON
в наличии
VB1102M
VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт SOT23-3
VBSEMI
в наличии
VB2658
VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)
VBSEMI
VBA2216
VBA2216, 1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G
VBSEMI
в наличии
VBA2311
VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G
VBSEMI
в наличии
VBA3638
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI
в наличии