VBA5638

VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF

VBSEMI

сравнить

отложить

VBL165R04

VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF720SPBF

в наличии

VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF740ASPBF

в наличии

VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6

в наличии

WM02N28M, SOT23-3, code: 2302B

в наличии

WM03N57M, SOT23-3, code: R4

в наличии

WM03N57M, SOT23-3, code: R4

в наличии

WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V

WMK05N80M3, Транзистор полевой N-канал SJ-MOS M3 800В TO220-3

WMK15N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V

WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V

WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V

WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3

YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N

YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В

в наличии

YJD25GP06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF

YJG110G10B, транзистор 100B 110A 113Вт PDFN5060-8L

YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC

YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]

YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060] = SFG10S2

YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А, 89Вт (PDFN5060-8L)

YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3 = SI2324A-TP

в наличии

YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C = IRLML0060

YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]

YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF

YJL2304A, [SOT-23] MOSFET транзистор N-канальный 30В 3.6А = IRLML2803TRPBF

YJL2304B, транзистор 30В 4А 36мОм SOT23

YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF

YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3 = DMP2110U

в наличии

YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25

YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346

в наличии

YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]

в наличии

YJQ20NP03A, Транзистор P-канальный

YJQ40G10A, транзистор 100B 40A 43Вт DFN3333-8L

в наличии

YJS05N06A, сдвоенный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 5А, 3.1Вт (SOP-8)

YJS12G10A, транзистор 100B 12A 3.1Вт SOP-8 (=IRF7853TRPBF)

YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)

в наличии

198НТ7А, (1990-91г)

в наличии

198НТ7А, (1992-99г)

в наличии

ULN2003ADR, матрица из 7 транзисторов, драйвер на 7 каналов SO16

ULN2003AFWG, драйвер-расширитель на 7 каналов SO16

ULN2003APG, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [DIP-16]

в наличии

ULN2003D1013TR, матрица транзисторов NPN 50В 0.5A SO16

в наличии

ULN2004AN, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, DIP16

в наличии

ULN2802A, матрица из восьми транзисторов Дарлингтона 500мА 50В PDIP-18

в наличии

ULN2803A, [SOP-18]

ULN2803A, матрица из восьми транзисторов NPN 500мА 50В DIP-18

в наличии

ULN2803ADWR, 18-SOIC

в наличии

Заказ и консультация

Радиокомпоненты по запросу