Радиокомпоненты по запросу

Кол-во на странице:
 
LQW2BHNR15J, 150 нГн, 0805, 5%, Индуктивность SMD
590338634
 
LQW2BHNR22J03L, SMD индуктивность 0.22 мкГн 5% 0805
590338635
 
LQW2BHNR27J03L, SMD индуктивность 0.27 мкГн 5% 0805
590338636
 
LQW2BHNR27J03L, 0805, 270nH 190mA
590338637
 
LQW2BHNR47J03L, Дроссели
590338638
 
MBH6045C-221MB, SMD индуктивность
590338639
 
MHQ1005P0N8CT000, SMD индуктивность 0402 0.8 нГн +-0.2 нГн 1.2А
590338640
 
MHQ1005P10NJT000, SMD индуктивность 10 нГн 5% 0.5А 0402
590338641
 
MHQ1005P1N0CT000, SMD индуктивность 1 нГн +-0.2 нГн 1.2А 0402
590338642
 
MHQ1005P1N5CT000, SMD индуктивность 0402 1.5 нГн +-0.2 нГн 1А
590338643
 
MHQ1005P1N8CT000, SMD индуктивность 0402 1.8 нГн +-0.2 нГн 1А
590338644
 
MHQ1005P2N2CT000, SMD индуктивность 2.2 нГн +-0.2 нГн 1А 0402
590338645
 
MHQ1005P3N3CT000, SMD индуктивность 3.3 нГн +-0.2 нГн 0.9А 0402
590338646
 
MHQ1005P3N9CT000, SMD индуктивность 3.9 нГн +-0.2 нГн 0.9А 0402
590338647
 
MHQ1005P5N6BT000, SMD индуктивность 0402 5.6 нГн +-0.2 нГн 0.8А
590338648
 
MHQ1005P6N8JT000, SMD индуктивность 6.8 нГн 5% 0.7А 0402
590338649
 
MHQ1005P8N2JT000, SMD индуктивность 8.2 нГн 5% 0.55А 0402
590338650
 
MLF2012A1R2JT000, SMD индуктивность 1.2 мкГн 5% 80мА 0805
590338651
 
MLF2012A1R5JT000, SMD индуктивность 1.5 мкГн 5% 80мА 0805
590338652
 
MLF2012A1R8JT000, SMD индуктивность 1.8 мкГн 5% 80мА 0805
590338653
 
MLF2012A2R2JT000, SMD индуктивность 2.2 мкГн 5% 50мА 0805
590338654
 
MLF2012A3R3JT000, SMD индуктивность 3.3 мкГн 5% 50мА 0805
590338655
 
MLF2012A3R9JT000, SMD индуктивность 3.9 мкГн 5% 30мА 0805
590338656
 
MLF2012A4R7JT000, SMD индуктивность 4.7 мкГн 5% 30мА 0805
590338657
 
MLF2012C150KT000, SMD индуктивность 15 мкГн 10% 5мА 0805
590338658
 
MLF2012C820KT000, SMD индуктивность 82 мкГн 10% 2мА 0805
590338659
 
MLF2012D47NMT000, SMD индуктивность 47 нГн 20% 300мА 0805
590338660
 
MLF2012D68NMT000, SMD индуктивность 68 нГн 20% 300мА 0805
590338661
 
MLF2012D82NMT000, SMD индуктивность 82 нГн 20% 300мА 0805
590338662
 
MLF2012DR10JT000, SMD индуктивность 100 нГн 5% 300мА 0805
590338663
 
MLF2012DR12JT000, SMD индуктивность 120 нГн 5% 300мА 0805
590338664
 
MLF2012DR15JT000, SMD индуктивность 150 нГн 5% 300мА 0805
590338665
 
MLF2012DR18JT000, SMD индуктивность 180 нГн 5% 300мА 0805
590338666
 
MLF2012DR22JT000, SMD индуктивность 220 нГн 5% 250мА 0805
590338667
 
MLF2012DR27JT000, SMD индуктивность 270 нГн 5% 250мА 0805
590338668
 
MLF2012DR33JT000, SMD индуктивность 330 нГн 5% 250мА 0805
590338669
 
MLF2012DR47JT000, SMD индуктивность 470 нГн 5% 200мА 0805
590338670
 
MLF2012DR68JT000, SMD индуктивность 680 нГн 5% 150мА 0805
590338671
 
MLF2012DR82JT000, SMD индуктивность 820 нГн 5% 150мА 0805
590338672
 
MLF2012E5R6JT000, SMD индуктивность 5.6 мкГн 5% 15мА 0805
590338673
 
MLJ1608WR16JT000, SMD индуктивность 160 нГн 5% 750мА 0603
590338674
 
MLJ1608WR22JT000, SMD индуктивность 220 нГн 5% 700мА 0603
590338675
 
MLJ1608WR27JT000, SMD индуктивность 270 нГн 5% 700мА 0603
590338676
 
MLJ1608WR33JT000, SMD индуктивность 330 нГн 5% 650мА 0603
590338677
 
MLJ1608WR39JT000, SMD индуктивность 390 нГн 5% 600мА 0603
590338678
 
MLP2012H2R2MT0S1, чип индуктивность 0805 2.2uH 20% 2MHz 1A
590338679
 
MLZ2012A1R0WT000, SMD индуктивность 1 мкГн 20% 0.9А 0805
590338680
 
MLZ2012A3R3WT000, SMD индуктивность 3.3 мкГн 20% 0.45А 0805
590338681