Радиокомпоненты по запросу

Кол-во на странице:
 
16 бит АЦП 100 ksps с посл.+ паралел. выход
589893049
 
16 бит АЦП 100 ksps с посл.+ паралел. выход
589893050
 
ЦАП 12бит паралл для CPU ±0.5LSB 30ppm/°C tпреобр3µs 10V/µs пит ±12,15V 9mA 0..70°C
589893052
 
Сигма-дельта АЦП, 24бит, нелин. 0.0015%, DIP24
589893055
 
Сигма-дельта АЦП, 24бит, нелин. 0.0015%,
589893056
 
Сигма-дельта АЦП, 16бит, нелин. 0.0015%,
589893057
 
Dual 16-Bit & 24-Bit SD ADC
589893058
 
ЦАП, 8bit, парал.вх., +2.7 V to +5.5 V, вольт. вых., –40°C to +105°C, SOIC20.
589893062
 
АЦП, 4 Кан. 10бит, 2.3 мкс, Uп=3 - 5.5В, -40°C - +105°C
589893063
 
АЦП, 10бит, 400кГц, Uп=2.7 - 5.5В, Pпот.<17.5мВт,
589893064
 
АЦП, 10бит, 4канала, с температурн. датчиком,
589893065
 
АЦП, 8бит, 2MSPS, несимметр.вход, нелин.0.75МЗР, парал.интерф., ИОН 2.5В, Iп.спящ.=0.2мкА, Iп=12мА, Uп=2.7...5.5В, –40...+85°C,
589893066
 
0.3-17V,650mW,LC2MOS complete 12-bit multiplying DAC. For automatic test equipment, digital attenuators, programmable power supplies
589893068
 
ЦАП 16бит, 7мкс, выход по напр.,
589893069
 
АЦП, 12бит, 8 кан. 200кГц, посл. вых., Uп=3..5В, ±1/2LSB, ,-40°C - +85°C
589893071
 
АЦП, 14 бит, 4 канала, 2.5мкс, паралл. вых.,, -40°С…+85°C
589893073
 
4 CH. SIMULTANEOUS BIPOLAR 14-B ADC I.C.
589893074
 
CMOS, Complete 14-Bit, Sampling ADC with 3 data output formats
589893075
 
16-BIT PARAL.SAMPL ADC
589893076
 
8CH. 12-BIT MICROPOWER SERIAL ADC I.C.
589893077
 
АЦП, 8 каналов, 12бит, 100кГц, послед. выход, +-10 V
589893078
 
АЦП, 12 бит, 8 кан., 5.9мкс, посл. вых., ±1МЗР,0..2.5 V , -40°С…+85°C
589893079
 
АЦП, 8 каналов, 12бит, 454 кГц, паралл.+посл выход, Вх +-5 или +-10 В
589893081
 
АЦП, 12бит, 500кГц, парал. вых., Uвх.=±5В/±10В,
589893082
 
АЦП, 12бит, 250кГц, послед. выход, Uвх.=±2.5В,
589893083
 
АЦП, 14-BIT Uвх=±10/±5 V 400 KSPS Парал. вых -40..+85°C
589893085
 
12-BIT 250KSPS ADC SC70 PKG I.C
589893087
 
100 KSPS 14_bit ADC Mirco Soic PKG I.C.
589893088
 
ЦАП 12бит, паралл. порт, токовый выход,
589893090
 
ОУ бипл., 8 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,025 мВ, 0,2 мкВ/°С, 0,9 нВ/VГц, Iвх = 250 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 8,2 мА, Uп = 10...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
589893091