Главная страница > Полупроводники > Микросхемы > Преобразователи питания > ИС управления транзисторами
РаспечататьИС управления транзисторами 1EBN1001AEXUMA1
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Current - peak output (source, sink) | - |
| Driven configuration | High-Side or Low-Side |
| Gate type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| High side voltage - max (bootstrap) | 1200V |
| Input type | - |
| Logic voltage - vil, vih | 1.5V, 3.5V |
| Mounting type | Surface Mount |
| Number of drivers | 1 |
| Operating temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / case | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part status | Active |
| Rise / fall time (typ) | 50ns, 90ns |
| Supplier device package | PG-DSO-14 |
| Voltage - supply | 13 V ~ 18 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
Описание
IC IGBT DVR 1200V DSO14
