Главная страница > Полупроводники > Микросхемы > Преобразователи питания > ИС управления транзисторами
РаспечататьИС управления транзисторами BS2100F-E2
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Current - peak output (source, sink) | 60mA, 130mA |
| Driven configuration | Half-Bridge |
| Gate type | N-Channel MOSFET |
| High side voltage - max (bootstrap) | 600V |
| Input type | Non-Inverting |
| Logic voltage - vil, vih | 1V, 2.6V |
| Mounting type | Surface Mount |
| Number of drivers | 2 |
| Operating temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / case | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part status | Not For New Designs |
| Rise / fall time (typ) | 200ns, 100ns |
| Supplier device package | 8-SOP |
| Voltage - supply | 10 V ~ 18 V |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
Описание
IC DVR IGBT/MOSFET
