Главная страница > Полупроводники > Микросхемы > Преобразователи питания > ИС управления транзисторами
РаспечататьИС управления транзисторами HIP2101IRZT
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
HIP2101IRZT
Производитель:
Renesas Electronics America Inc.
Документ
| Current - peak output (source, sink) | 2A, 2A |
| Driven configuration | Half-Bridge |
| Gate type | N-Channel MOSFET |
| High side voltage - max (bootstrap) | 114V |
| Input type | Non-Inverting |
| Logic voltage - vil, vih | 0.8V, 2.2V |
| Mounting type | Surface Mount |
| Number of drivers | 2 |
| Operating temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / case | 16-VQFN Exposed Pad |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part status | Active |
| Rise / fall time (typ) | 10ns, 10ns |
| Supplier device package | 16-QFN-EP (5x5) |
| Voltage - supply | 9 V ~ 14 V |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc. |
Описание
IC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN
