Транзисторы с каналом N THT SP001570120

"MOSFET,100V,17A,90mOhm,24.7nCQg,TO-220AB"

Информация о продукте
Обозначение производителя:
SP001570120
Производитель:
INF
Документация язык en
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (USD) Заказать
IRF530NPBF Транзисторы и сборки MOSFET JSMICRO 7 шт. 7 дней 1

0.3320 от 1 шт.

0.3145 от 58 шт.

0.2995 от 181 шт.

0.2895 от 344 шт.

Производитель Infineon (IRF)
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 100В
Ток стока 17А
Мощность 79Вт
Корпус TO220AB
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 90мОм
Монтаж THT
Технология HEXFET®
Вид упаковки туба
Заряд затвора 24,7

Описание

  • Масса брутто: 2 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.