Модули IGBT IXYS IXDN75N120
Urmax:1,2кВ; Ic:150А; P:660Вт; SOT227B; винтами; винтами
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
IXYS IXDN75N120
Производитель:
IXYS
| Производитель | IXYS |
| Тип модуля | IGBT |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ |
| Ток коллектора | 150 |
| Мощность | 660Вт |
| Корпус | SOT227B |
| Электрический монтаж | винтами |
| Монтаж | винтами |
| Рабочая температура | -40...125°C |
Описание
- Масса брутто: 0.03 kg
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
