Главная страница > Полупроводники > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторные модули MOSFET
РаспечататьТранзисторные модули MOSFET IXYS IXFN50N120SIC
Модуль; одиночный транзистор; Uds:1,2кВ; 35А; SOT227B; Ugs: ±20В
Информация о продукте
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFN50N120SIC | Транзисторы и сборки MOSFET | IXYS | 20 1 | склад | 1 |
763.2640 от 1 шт. 740.3661 от 3 шт. 725.1008 от 4 шт. |
| Производитель | IXYS |
| Тип модуля | транзисторный |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Напряжение сток-исток | 1.2кВ |
| Ток стока | 35А |
| Корпус | SOT227B |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | винтами |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 50 |
| Технология | HiPerFET™ |
| Рабочая температура | -40...150°C |
Описание
- Масса брутто: 0.04 kg
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
