Главная страница > Полупроводники > Дискретные полупроводниковые модули > Транзисторные модули MOSFET
РаспечататьТранзисторные модули MOSFET IXYS IXTN170P10P
Модуль; одиночный транзистор; Uds: -100В; Id: -170А; SOT227B; 890Вт
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Производитель | IXYS |
| Тип модуля | транзисторный |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Напряжение сток-исток | -100В |
| Ток стока | -170А |
| Корпус | SOT227B |
| Мощность | 890Вт |
| Импульсный ток | -680А |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | винтами |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 14 |
| Рабочая температура | -55...150°C |
Описание
- Масса брутто: 0.03 kg
