Главная страница > Полупроводники > Дискретные полупроводниковые модули > Транзисторные модули MOSFET
РаспечататьТранзисторные модули MOSFET IXYS VUM33-05N
Модуль; диод/транзистор; Uds:500В; Id:33А; V1-B-Pack; 310Вт
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Производитель | IXYS |
| Тип модуля | транзисторный |
| Конструкция диода | диод/транзистор |
| Напряжение сток-исток | 500В |
| Ток стока | 33А |
| Корпус | V1-B-Pack |
| Мощность | 310Вт |
| Импульсный ток | 130А |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | коннекторы 2x0,5мм, под пайку |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 120 |
| Рабочая температура | -40...150°C |
| Топология | 1-фазный диодный мост, тормозной транзистор |
Описание
- Масса брутто: 0.04 kg
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
