Главная страница > Полупроводники > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N THT
РаспечататьТранзисторы с каналом N THT MICROSEMI APT5017BVRG
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; 370Вт; TO247
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
MICROSEMI APT5017BVRG
Производитель:
MICROSEMI
Документация язык en
| Производитель | MICROSEMI |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 500В |
| Ток стока | 30А |
| Мощность | 370Вт |
| Корпус | TO247 |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 170мОм |
| Монтаж | THT |
| Технология | POWER MOS V® |
| Вид упаковки | туба |
| Заряд затвора | 300 |
Описание
- Масса брутто: 6.06 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
