Транзисторы IGBT THT FGA60N65SMD

DISCRETEIGBT600V120A

Информация о продукте
Обозначение производителя:
FGA60N65SMD
Производитель:
ONS
Документация язык en
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (USD) Заказать
FGA60N65SMD Транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ONS-FAIR 167 шт. 7 дней 1

6.8278 от 1 шт.

6.4685 от 3 шт.

6.1604 от 9 шт.

5.9551 от 17 шт.

Производитель ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Тип транзистора IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер 650В
Ток коллектора 60
Мощность 300
Корпус TO3P
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Ток коллектора в импульсе 180
Заряд затвора 284нC

Описание

  • Масса брутто: 5.16 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.