Транзисторы с каналом N SMD FDN337N

30VN-CH.MOSFET65

Информация о продукте
Обозначение производителя:
FDN337N
Производитель:
ONS
Документация язык en
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (бел.руб.) Заказать
FDN337N Транзисторы и сборки MOSFET FUXIN 413 шт. 7 дней 1

0.1677 от 1 шт.

0.1589 от 361 шт.

0.1513 от 1145 шт.

0.1463 от 2176 шт.

FDN337N Транзисторы и сборки MOSFET ONS-FAIR 4 174 шт. 7 дней 1

0.6155 от 1 шт.

0.5831 от 99 шт.

0.5554 от 312 шт.

0.5368 от 593 шт.

FDN337N Транзисторы и сборки MOSFET YOUTAI 9 636 шт. 7 дней 10

0.1124 от 1 x упк(10)

0.1065 от 54 x упк(10)

0.1014 от 171 x упк(10)

0.0980 от 325 x упк(10)

Производитель ON SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Технология PowerTrench®
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 30В
Ток стока 2.2А
Мощность 0.5Вт
Корпус SuperSOT-3
Напряжение затвор-исток ±8В
Сопротивление в открытом состоянии 80мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 9
Вид упаковки бобина, лента
Характеристики полупроводниковых элементов logic level

Описание

  • Масса брутто: 0.02 g

Если заказанное количество отвечает:

100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках

Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.