Транзисторы с каналом N SMD FDV303N

25VN-CH.FET

Информация о продукте
Обозначение производителя:
FDV303N
Производитель:
ONS
Документация язык en
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (RUB) Заказать
FDV303N Транзисторы и сборки MOSFET MSKSEMI 43 232 шт. 7 дней 10

3.2004 от 1 x упк(10)

3.0319 от 54 x упк(10)

2.8876 от 169 x упк(10)

2.7913 от 320 x упк(10)

Производитель ON SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 25В
Ток стока 0.68А
Мощность 0.35Вт
Корпус SOT23
Напряжение затвор-исток ±8В
Сопротивление в открытом состоянии 800мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 2,3
Вид упаковки бобина, лента
Характеристики полупроводниковых элементов logic level

Описание

  • Масса брутто: 0.02 g

Если заказанное количество отвечает:

100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках

Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.