Транзисторы с каналом N THT STF11NM80

MOSFET800V0.4OHM

Информация о продукте
Обозначение производителя:
STF11NM80
Производитель:
STM
Документация язык en
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (RUB) Заказать
STF11NM80 Транзисторы и сборки MOSFET ST 405 шт. 7 дней 1

214.9290 от 23 шт.

207.7647 от 44 шт.

Производитель ST MICROELECTRONICS
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 800В
Ток стока 11А
Мощность 35Вт
Корпус TO220FP
Напряжение затвор-исток ±30В
Сопротивление в открытом состоянии 0.4Ом
Монтаж THT
Технология MDmesh™
Вид упаковки туба
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate

Описание

  • Масса брутто: 1.71 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.