Транзисторы с каналом N SMD SI2308BDS-T1-GE3

N-ChMOSFETSOT-2360V130mohm@10V

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
SI2308BDS-T1-GE3
Производитель:
VI1
Документация язык en
Производитель VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 60В
Ток стока 1.8А
Мощность 1.06Вт
Корпус SOT23
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 0.192Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 2,3
Вид упаковки бобина, лента

Описание

  • Масса брутто: 0.02 g

Если заказанное количество отвечает:

100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках

Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.