Транзисторы с каналом P SMD SI2309CDS-T1-GE3
"P-Channel60-V,1,4A"
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (USD) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI2309CDS-T1-GE3 | Транзисторы и сборки MOSFET | TECH PUB | 10 714 шт. | 7 дней | 1 |
0.0692 от 1 шт. 0.0655 от 272 шт. 0.0624 от 861 шт. 0.0603 от 1636 шт. |
|
| SI2309CDS-T1-GE3 | Транзисторы и сборки MOSFET | VISHAY | 1 456 шт. | 7 дней | 1 |
0.3147 от 1 шт. 0.2981 от 61 шт. 0.2839 от 191 шт. 0.2745 от 363 шт. |
| Производитель | VISHAY |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | -60В |
| Ток стока | -1.3А |
| Мощность | 1.1Вт |
| Корпус | SOT23 |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 0.45Ом |
| Монтаж | SMD |
| Вид упаковки | бобина, лента |
| Заряд затвора | 2,7 |
Описание
- Масса брутто: 0.01 g
Если заказанное количество отвечает:
100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках
Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.
