Транзисторы с каналом P SMD SI2309CDS-T1-GE3

"P-Channel60-V,1,4A"

Информация о продукте
Обозначение производителя:
SI2309CDS-T1-GE3
Производитель:
VI1
Документация язык en
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (USD) Заказать
SI2309CDS-T1-GE3 Транзисторы и сборки MOSFET TECH PUB 7 426 шт. 7 дней 1

0.1228 от 1 шт.

0.1163 от 155 шт.

0.1108 от 492 шт.

0.1071 от 934 шт.

SI2309CDS-T1-GE3 Транзисторы и сборки MOSFET VISHAY 1 430 шт. 7 дней 1

0.2265 от 1 шт.

0.2146 от 84 шт.

0.2044 от 265 шт.

0.1975 от 503 шт.

Производитель VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток -60В
Ток стока -1.3А
Мощность 1.1Вт
Корпус SOT23
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 0.45Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки бобина, лента
Заряд затвора 2,7

Описание

  • Масса брутто: 0.01 g

Если заказанное количество отвечает:

100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках

Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.