Транзисторы с каналом N SMD IRLL110TRPBF

N-ChMOSFET

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IRLL110TRPBF
Производитель:
VI1
Документация язык en
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (бел.руб.) Заказать
IRLL110TRPBF Транзисторы и сборки MOSFET TECH PUB 5 063 шт. 7 дней 1

1.1740 от 1 шт.

1.1122 от 52 шт.

1.0592 от 164 шт.

1.0239 от 311 шт.

IRLL110TRPBF Транзисторы и сборки MOSFET VBSEMI 10 шт. 7 дней 1

1.0616 от 1 шт.

1.0057 от 58 шт.

0.9578 от 181 шт.

0.9259 от 344 шт.

IRLL110TRPBF Транзисторы и сборки MOSFET VISH/IR 7 270 шт. 7 дней 1

2.4033 от 1 шт.

2.2768 от 26 шт.

2.1684 от 80 шт.

2.0961 от 152 шт.

Производитель VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 100В
Ток стока 0.93А
Мощность 3.1Вт
Корпус SOT223
Напряжение затвор-исток ±10В
Сопротивление в открытом состоянии 0.76Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 6,1
Вид упаковки бобина, лента

Описание

  • Масса брутто: 0.24 g

Если заказанное количество отвечает:

100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках

Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.