Транзисторы многоканальные DIODES INCORPORATED DMG6602SVT-7

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,8/-3,4А; 1,112Вт

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
DIODES INCORPORATED DMG6602SVT-7
Производитель:
DIODES INCORPORATED
Документация язык en
Производитель DIODES INCORPORATED
Тип транзистора N/P-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 30/-30В
Ток стока 2.8/-3.4А
Мощность 1.112Вт
Корпус TSOT26
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 60/95мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки бобина, лента

Описание

  • Масса брутто: 0.02 g

Если заказанное количество отвечает:

100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках

Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.