Память GD25S512MDYIGR

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
GD25S512MDYIGR
Производитель:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Документ
Access time -
Clock frequency 104MHz
Memory interface SPI - Quad I/O
Memory size 512Mb (64M x 8)
Memory type Non-Volatile
Mounting type Surface Mount
Operating temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Package / case 8-WDFN Exposed Pad
Packaging Tape & Reel (TR)
Part status Active
Supplier device package 8-WSON (6x8)
Technology FLASH - NOR
Voltage - supply 2.7 V ~ 3.6 V
Write cycle time - word, page 50µs, 2.4ms
Производитель GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Описание

NOR FLASH