Компания SUNCOYJ, являющаяся одним из ведущих разработчиков и производителей полупроводников в Китае, анонсировала выпуск новых модулей IGBT, предназначенных для построения инверторов переменного или постоянного тока. Данные модули рекомендуется применять в преобразователях солнечной энергии, однако они также отлично подойдут для любых применений, требующих высокой частоты переключений и низких потерь мощности.
Модули выполнены в корпусах N2, N3, P3S и P4M. Интегрированные антипараллельные карбид-кремниевые диоды обеспечивают высокую эффективность преобразования благодаря уменьшению потерь на включение.
Особенности новых модулей:
- максимальное напряжение интегрированных транзисторов составляет 1200 В для инверторов мощностью 60…80 кВт и 650 В для инверторов мощностью до 110 кВт;
- два варианта внутренней топологии: для классических повышающих (Boost) преобразователей и для трехуровневых преобразователей T-типа (T-Type Three Level);
- интегрированные антипараллельные карбид-кремниевые диоды с быстрым восстановлением;
- малые потери переходных процессов и напряжение насыщения транзистора повышают эффективность инверторов солнечных панелей и иных приложений;
- максимальная температура кристалла 175°C;
- В качестве подложек, обеспечивающих эффективный отвод тепла и изоляцию, используются DBC (Direct Bonded Copper) для корпуса P3S, медь для корпусов N2 и N3 и IMS (Insulated Metal Substrate) для корпуса P4M.
Для запроса цен и сроков поставки обращайтесь, пожалуйста, на электронную почту chip@neocomponent.com. Звоните и заказывайте по телефону +375 17 347-27-27. Менеджеры и инженеры ООО «Неокомпонент» ответят на все интересующие вопросы.
