Главная страница > Новости
Распечатать

IGBT-модули для вашей техники

ООО Неокомпонент рады сообщить о  поставках IGBT-модулей в корпусе EconoDUAL 3 от производителей Leapers и Xiner, Dynex.

IGBT модули представляют собой сборку из параллельно включенных IGBT-транзисторов и быстродействующих диодов (FRD). Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) обладает высоким КПД, мощностью, быстрым включением и выключением, низкими потерями энергии при переключении. IGBT модули предназначены для использования в преобразовательной технике для повышения энергетической эффективности преобразования и передачи электроэнергии.

IGBT-модули ориентированы на применение в промышленных частотных преобразователях, системах управления приводом насосных станций, возобновляемых источниках энергии, индукционных системах нагрева, электротранспорт и д.р.

Компания Leapers Semiconductor основана в 2019 году в Китае, а её отдел разработок находится в Кумагайе (Япония). Компания специализируется на производстве SIC и IGBT-модулей для применения на транспорте.

Преимущества модулей DFI450HF12I4ME1:

  • новейшие разработки кристаллов IGBT Renesas 8-го поколения;
  • максимальный ток коллектора 600 А при +100 °C;
  • напряжение изоляции 3400 В;
  • подходят для транспортных тяговых инверторов с частотой 20–50 кГц. Количество заявляемых термоциклов в три раза выше, чем у аналогов;

Компания Shenzhen Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd. (Xiner) основана в 2013 году в городе Шэньчжэнь. Направление деятельности компании – производство IGBT, микросхем драйверов IGBT и интеллектуальных силовых модулей. 

Преимущества модулей XNG450B24KC5A5:

  • низкие потери переключения;
  • высокая устойчивость к току короткого замыкания (Icsc);
  • надежность и повторяемость параметров.

Компания Dynex образовалась в конце XIX, входила в состав электротехнических гигантов General Electric и Westinghouse. Имя Dynex Semiconductor (далее — Dynex) предприятие получило в 2000 году, перейдя под контроль управляющей компании Dynex Power Inc., IGBT от Dynex имеют широкое применение в системах управления двигателями, импульсных преобразователях, инверторах, сервоприводах и тому подобное.

Компоненты IGBT Dynex отвечают следующим требованиям:

  • низкие статические и динамические потери (на низких частотах по этому показателю они превосходят MOSFET);
  • широкая прямоугольная область безопасной работы (в неблагоприятном режиме ключа при максимальных значениях тока, напряжения и длительности импульса);
  • высокая устойчивость к токам короткого замыкания;
  • устойчивость к большим импульсным токам;
  • малые емкости и заряды затворов;
  • высокие частоты переключения: до 100 кГц;
  • не требуют отрицательного смещения на затворе для устойчивого замыкания;
  • малое остаточное напряжение, не более: 2,5 В;
  • возможность параллельного включения;
  • низкий остаточный ток с низкой температурной зависимостью;
  • низкая внутренняя индуктивность модулей;
  • способность выдерживать высокие значения di/dt и dv/dt;
  • улучшенная электромагнитная совместимость;
  • высокое значение изоляции: до 10,2 кВ;
  • высокая надежность, улучшенная термо­циклостойкость;
  • 100%-ный заводской контроль в статическом и динамическом режимах

ТАБЛИЦА 1. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ 1200 В IGBT-ТРАНЗИСТОРОВ

 

Leapers

Xiner

CRRC

Mitsubishi

Infineon

DYNEX

Starpower

 

DFI450HF12I4ME1

XNG450B24KC5A5

TG450HF12M1-S3A00

CM450DX-24T

FF450R12ME4

DIM450M1HS12-PB500

GD450HFY120C6S

Ключевые условия проверки параметров:

Ток коллектора IC 450 A, напряжение затвор-эмиттер VGE =15V

Ток коллектора DC IC Tc = 100 °C, А

600

450

450

450

450

450

450

Повторяющийся пиковый ток коллектора

1200

900

900

900

900

900

900

tp =1ms , Note 1 , А

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

3750

2150

2800

2500

2250

2800

2272

Пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE(th), В

5

5,6

5,9

6

5,8

6

5,6

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) 25 °C, В

1,65

1,75

1,65

1,65

1,75

1.65

1,7

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) Tj = 150 °C, В

1,85

2,05

2

1,9

2,05

2

2

Время задержки включения td(on) Tj = 25 °C, мкс

0,18

0,18

0,262

0,6

0,19

0,22

0,208

Время задержки включения td(on) Tj = 150 °C, мкс

0,191

0,187

0,267

 

0,22

0,22

0,23

Время нарастания Tj = 25°C, мкс

0,052

0,059

0,095

0,2

0,06

0,07

0,054

Время нарастания Tj = 150 °C, мкс

0,054

0,066

0,102

 

0,07

0,076

0,062

Время задержки выключения Tj = 25°C, мкс

0,422

0,435

0,68

0,8

0,49

0,53

0,356

Время задержки выключения Tj = 150 °C, мкс

0,48

0,504

0,73

 

0,62

0,6

0,431

Время спада Tj = 25°C, мкс

0,113

0,082

0,13

0,4

0,08

0.26

0,256

Время спада Tj = 150°C, мкс

0,16

0,218

0,27

 

0,12

0.33

0,403

Энергия потерь при включении Tj = 25°C,мДж

45,2

21

19

43,1

15

8.3

25,4

Энергия потерь при включении Tj = 150°C, мДж

63,53

36

30

 

28,5

13

45,3

Рассеивание энергии при выключении за один цикл Tj = 25°C, мДж

35,38

43

46

45

38

52

42,1

Рассеивание энергии при выключении за один цикл Tj = 150°C, мДж

43,99

51

62

 

61,5

65

60,2

Тепловое сопротивление переход-корпус RthJC, К/Вт

0,04

0,07

0,052

0,06

0,104

 

0,066

Условия проверки параметров:

(Switch side)

IF=450A,VR=600V

IF = 450A, VGE = 0

н/д

IF = 450 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=150°C)

IC = 450A
VCE = 600V
VGE = ±15V
RG(OFF) = 1.0
RG(ON) = 1.0

VCC=600V,

VCC =600V, IC 450A

VR = 600 V

IF=450A,

VGE = +15V/-8V

VGE = -15 V

-di/dt=7860A/μs,

RG 1.0 Om

 

LS=45nH,

(FRD side)

 

VGE=-15V

Vrr =600V, IF 450 A

 

 

VGE= -8V

 

 

Постоянное прямое напряжение диода

1,7

2,32

1,65

н/д

1,65

1.65

1,6

VF Tj = 25°C, В

Постоянное прямое напряжение диода

1,75

2,4

1,75

н/д

1,65

1.75

1,7

VF Tj = 150°C, В

Пиковый ток обратного восстановления

283

243

350

н/д

450

415

393

Tj = 25°C, А

 

Модули Leapers и Xiner, Dynex доступны для заказа под срок от 7-10 дней.

Звоните и заказывайте по телефону +375 17 347-27-27. Менеджеры и инженеры ООО «Неокомпонент» ответят на все интересующие вопросы.