Транзисторы с каналом N SMD SP001519800

AutomotiveG12.7MOSFET40VN

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
SP001519800
Производитель:
INF
Документация язык en
Производитель Infineon (IRF)
Тип транзистора N-MOSFET
Технология HEXFET®
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 40В
Ток стока 100А
Мощность 163Вт
Корпус DPAK
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 1.65мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 1,3

Описание

  • Масса брутто: 0.36 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.