Главная страница > Полупроводники > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N THT
РаспечататьТранзисторы с каналом N THT SP001571310
"MOSFET,100V,9.7A,200mOhm,16.7nCQg,TO-220AB"
Информация о продукте
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF520NPBF | IRF520NPBF, TO-220 Isolated Tab | INFINEON | 10 шт | 14 дней | 1 |
3.7515 от 1 шт. 3.2826 от 5 шт. 2.9308 от 93 шт. |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Ток стока | 9.7А |
| Мощность | 48Вт |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 200мОм |
| Монтаж | THT |
| Технология | HEXFET® |
| Вид упаковки | туба |
| Заряд затвора | 16,7 |
Описание
- Масса брутто: 0.72 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
