Главная страница > Полупроводники > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа P > Транзисторы с каналом P THT
РаспечататьТранзисторы с каналом P THT SP001559642
"MOSFET,P-CHANNEL,-100V,-40A,60mOhm,120nCQg"
Информация о продукте
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF5210PBF | IRF5210PBF, транзистор P канал100В -40А ТО220AB | INFINEON | 1 700 шт | 14 дней | 1 |
5.4035 от 1 шт. 4.7280 от 4 шт. 4.2214 от 64 шт. |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | -100В |
| Мощность | 200 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 60мОм |
| Монтаж | THT |
| Вид упаковки | туба |
| Ток стока | -40А |
| Заряд затвора | 120 |
| Технология | HEXFET® |
Описание
- Масса брутто: 1.98 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
