Транзисторы с каналом P THT SP001564354
"MOSFET,P-CHANNEL,-55V,-31A,60mOhm,42nCQg,"
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF5305PBF | Транзисторы и сборки MOSFET | VBSEMI | 358 шт. | 7 дней | 1 |
1.5890 от 1 шт. 1.5053 от 39 шт. 1.4336 от 121 шт. 1.3859 от 230 шт. |
|
| IRF5305PBF | IRF5305PBF, транзистор Р канал -55В -31А TO220AB | INFINEON | 1 000 шт | 14 дней | 1 |
3.6858 от 1 шт. 3.2251 от 5 шт. 2.8796 от 94 шт. |
|
| IRF5305PBF | IRF5305PBF, транзистор Р канал 55В 31А, TO-220AB | INFINEON | 17 шт | 14 дней | 1 |
4.5239 от 1 шт. 3.9584 от 4 шт. 3.5343 от 77 шт. |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | -55В |
| Мощность | 110 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 60мОм |
| Монтаж | THT |
| Вид упаковки | туба |
| Ток стока | -31А |
| Заряд затвора | 42 |
| Технология | HEXFET® |
Описание
- Масса брутто: 1.94 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
