Транзисторы с каналом N THT SP001561906
"MOSFET,100V,33A,44mOhm,47.3nCQg,TO-220AB"
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF540NPBF | N-Ch 100V 27A 94W 0,052R | IRF | 8 шт. | склад | 1 |
запрос цены |
|
| IRF540NPBF | IRF540NPBF, транзистор N канал 100В 33А TO220AB | INFINEON | 6 800 шт | 14 дней | 1 |
1.4688 от 1 шт. 1.2852 от 12 шт. 1.1475 от 236 шт. |
|
| IRF540NPBF | IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB] | INFINEON | 7 300 шт | 14 дней | 1 |
2.6093 от 1 шт. 2.2831 от 7 шт. 2.0385 от 133 шт. |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Ток стока | 33А |
| Мощность | 140Вт |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 44мОм |
| Монтаж | THT |
| Технология | HEXFET® |
| Вид упаковки | туба |
| Заряд затвора | 47,3 |
Описание
- Масса брутто: 1.93 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
