Транзисторы с каналом P SMD INFINEON (IRF) IRF5803D2TRPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,4А; 2Вт; SO8
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | Infineon (IRF) |
Тип транзистора | P-MOSFET |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | -40В |
Ток стока | -3.4А |
Мощность | 2Вт |
Корпус | SO8 |
Монтаж | SMD |
Вид упаковки | бобина |
Технология | HEXFET® |
Описание
- Масса брутто: 0.43 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.