Транзисторы с каналом N THT INFINEON (IRF) IRF630NPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9,5А; 82Вт; TO220AB
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (RUB) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF630NPBF | Транзисторы и сборки MOSFET | JSMICRO | 1 шт. | 7 дней | 1 |
34.6336 от 1 шт. 32.8108 от 50 шт. 31.2484 от 157 шт. 30.2067 от 297 шт. |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 200В |
| Ток стока | 9.5А |
| Мощность | 82Вт |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 300мОм |
| Монтаж | THT |
| Технология | HEXFET® |
| Вид упаковки | туба |
| Заряд затвора | 23,3 |
Описание
- Масса брутто: 1.94 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
