Транзисторы с каналом N THT INFINEON (IRF) IRF640NLPBF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 18А; 150Вт; TO262
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | Infineon (IRF) |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | 200В |
Ток стока | 18А |
Мощность | 150Вт |
Корпус | TO262 |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Сопротивление в открытом состоянии | 150мОм |
Монтаж | THT |
Технология | HEXFET® |
Заряд затвора | 44,7 |
Описание
- Масса брутто: 1.57 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.