Главная страница > Полупроводники > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N THT
РаспечататьТранзисторы с каналом N THT SP001570078
"MOSFET,200V,18A,150mOhm,44.7nCQg,TO-220AB"
Информация о продукте
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (USD) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF640NPBF | IRF640NPBF, транзистор N канал 200В 18А TO220AB | INFINEON | 2 900 шт | 14 дней | 1 |
1.1716 от 1 шт. 1.0251 от 5 шт. 0.9153 от 91 шт. |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 200В |
| Ток стока | 18А |
| Мощность | 150Вт |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 150мОм |
| Монтаж | THT |
| Технология | HEXFET® |
| Вид упаковки | туба |
| Заряд затвора | 44,7 |
Описание
- Масса брутто: 1.93 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
