Транзисторы многоканальные INFINEON (IRF) IRF7301TRPBF
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; 2Вт; SO8
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7301TRPBF | IRF7301TRPBF, транзистор 2N канал 20В 5.2А SO8 | INFINEON | 1 700 шт | 14 дней | 1 |
1.3375 от 1 шт. 1.1703 от 13 шт. 1.0449 от 259 шт. |
|
| IRF7301TRPBF | IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8] | INFINEON | 2 шт | 14 дней | 1 |
8.4257 от 1 шт. 7.3725 от 3 шт. 6.5826 от 42 шт. |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Тип транзистора | N-MOSFET x2 |
| Технология | HEXFET® |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 20В |
| Ток стока | 5.2А |
| Мощность | 2Вт |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Вид упаковки | бобина |
Описание
- Масса брутто: 0.43 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
