Главная страница > Полупроводники > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N THT
РаспечататьТранзисторы с каналом N THT SP001560192
"MOSFET,200V,31A,82mOhm,70nCQg,TO-220AB"
Информация о продукте
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB31N20DPBF | IRFB31N20DPBF, TO-220AB | INFINEON | 1 шт | 14 дней | 1 |
22.7874 от 1 шт. 20.3459 от 14 шт. |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 200В |
| Ток стока | 31А |
| Мощность | 200Вт |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 82мОм |
| Монтаж | THT |
| Технология | HEXFET® |
| Вид упаковки | туба |
| Заряд затвора | 70 |
Описание
- Масса брутто: 1.95 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
