Модули IGBT IXYS IXDN75N120
Urmax:1,2кВ; Ic:150А; P:660Вт; SOT227B; винтами; винтами
![IXYS IXDN75N120](files/126/463/0f/612565.jpg)
![IXYS IXDN75N120](files/126/463/0f/prime_presentation_pres_0000.jpg)
![IXYS IXDN75N120](files/126/463/0f/prime_presentation_pres_0001.jpg)
![IXYS IXDN75N120](files/126/463/0f/prime_presentation_pres_0002.jpg)
![IXYS IXDN75N120](files/126/463/0f/prime_presentation_pres_0003.jpg)
![IXYS IXDN75N120](files/126/463/0f/prime_presentation_pres_0004.jpg)
![IXYS IXDN75N120](files/126/463/0f/prime_presentation_pres_0005.jpg)
![IXYS IXDN75N120](files/126/463/0f/prime_presentation_pres_0006.jpg)
![IXYS IXDN75N120](files/126/463/0f/prime_presentation_pres_0007.jpg)
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | IXYS |
Тип модуля | IGBT |
Конструкция диода | транзистор/транзистор |
Обратное напряжение макс. | 1.2кВ |
Ток коллектора | 150 |
Мощность | 660Вт |
Корпус | SOT227B |
Электрический монтаж | винтами |
Монтаж | винтами |
Рабочая температура | -40...125°C |
Описание
- Масса брутто: 0.03 kg
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.