Транзисторные модули MOSFET IXYS IXFN420N10T
Модуль; одиночный транзистор; Uds:100В; Id:420А; SOT227B; 1,07кВт
![IXYS IXFN420N10T](files/126/455/7f/409675.jpg)
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | IXYS |
Тип модуля | транзисторный |
Конструкция диода | одиночный транзистор |
Напряжение сток-исток | 100В |
Ток стока | 420А |
Корпус | SOT227B |
Мощность | 1.07кВт |
Импульсный ток | 1кА |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Монтаж | винтами |
Электрический монтаж | винтами |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 2,3 |
Технология | GigaMOS™ Trench, HiPerFET™ |
Рабочая температура | -55...175°C |
Описание
- Масса брутто: 0.03 kg