Главная страница > Полупроводники > Дискретные полупроводниковые модули > Транзисторные модули MOSFET
РаспечататьТранзисторные модули MOSFET IXYS IXFN420N10T
Модуль; одиночный транзистор; Uds:100В; Id:420А; SOT227B; 1,07кВт
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Производитель | IXYS |
| Тип модуля | транзисторный |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Ток стока | 420А |
| Корпус | SOT227B |
| Мощность | 1.07кВт |
| Импульсный ток | 1кА |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | винтами |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 2,3 |
| Технология | GigaMOS™ Trench, HiPerFET™ |
| Рабочая температура | -55...175°C |
Описание
- Масса брутто: 0.03 kg
