Транзисторные модули MOSFET IXYS IXFN50N120SIC
Модуль; одиночный транзистор; Uds:1,2кВ; 35А; SOT227B; Ugs: ±20В
![IXYS IXFN50N120SIC](files/126/451/6f/409675.jpg)
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | IXYS |
Тип модуля | транзисторный |
Конструкция диода | одиночный транзистор |
Напряжение сток-исток | 1.2кВ |
Ток стока | 35А |
Корпус | SOT227B |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Монтаж | винтами |
Электрический монтаж | винтами |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 50 |
Технология | HiPerFET™ |
Рабочая температура | -40...150°C |
Описание
- Масса брутто: 0.04 kg
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.