Главная страница > Полупроводники > Дискретные полупроводниковые модули > Транзисторные модули MOSFET
РаспечататьТранзисторные модули MOSFET IXYS IXFN55N50
Модуль; одиночный транзистор; Uds:500В; Id:55А; SOT227B; 625Вт
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Производитель | IXYS |
| Тип модуля | транзисторный |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Напряжение сток-исток | 500В |
| Ток стока | 55А |
| Корпус | SOT227B |
| Мощность | 625Вт |
| Импульсный ток | 220А |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | винтами |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 80 |
| Технология | HiPerFET™ |
| Рабочая температура | -55...150°C |
Описание
- Масса брутто: 0.04 kg
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
