Главная страница > Полупроводники > Дискретные полупроводниковые модули > Транзисторные модули MOSFET
РаспечататьТранзисторные модули MOSFET IXYS IXTN210P10T
Модуль; одиночный транзистор; Uds: -100В; Id: -210А; SOT227B; 830Вт
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Производитель | IXYS |
| Тип модуля | транзисторный |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Напряжение сток-исток | -100В |
| Ток стока | -210А |
| Корпус | SOT227B |
| Мощность | 830Вт |
| Импульсный ток | -840А |
| Напряжение затвор-исток | ±15В |
| Монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | винтами |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 7,5 |
| Рабочая температура | -55...150°C |
Описание
- Масса брутто: 0.04 kg
