Транзисторные модули MOSFET IXYS IXTN210P10T
Модуль; одиночный транзистор; Uds: -100В; Id: -210А; SOT227B; 830Вт
![IXYS IXTN210P10T](files/126/450/7f/409675.jpg)
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | IXYS |
Тип модуля | транзисторный |
Конструкция диода | одиночный транзистор |
Напряжение сток-исток | -100В |
Ток стока | -210А |
Корпус | SOT227B |
Мощность | 830Вт |
Импульсный ток | -840А |
Напряжение затвор-исток | ±15В |
Монтаж | винтами |
Электрический монтаж | винтами |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 7,5 |
Рабочая температура | -55...150°C |
Описание
- Масса брутто: 0.04 kg