Транзисторные модули MOSFET IXYS IXTN32P60P
Модуль; одиночный транзистор; Uds: -600В; Id: -32А; SOT227B; 890Вт
![IXYS IXTN32P60P](files/126/454/4f/409675.jpg)
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | IXYS |
Тип модуля | транзисторный |
Конструкция диода | одиночный транзистор |
Напряжение сток-исток | -600В |
Ток стока | -32А |
Корпус | SOT227B |
Мощность | 890Вт |
Импульсный ток | -128А |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Монтаж | винтами |
Электрический монтаж | винтами |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 350 |
Рабочая температура | -55...150°C |
Описание
- Масса брутто: 0.04 kg
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.