Транзисторные модули MOSFET IXYS VUM33-05N
Модуль; диод/транзистор; Uds:500В; Id:33А; V1-B-Pack; 310Вт
![IXYS VUM33-05N](files/126/451/9f/408702.jpg)
![IXYS VUM33-05N](files/126/451/9f/prime_presentation_pres_0000.jpg)
![IXYS VUM33-05N](files/126/451/9f/prime_presentation_pres_0001.jpg)
![IXYS VUM33-05N](files/126/451/9f/prime_presentation_pres_0002.jpg)
![IXYS VUM33-05N](files/126/451/9f/prime_presentation_pres_0003.jpg)
![IXYS VUM33-05N](files/126/451/9f/prime_presentation_pres_0004.jpg)
![IXYS VUM33-05N](files/126/451/9f/prime_presentation_pres_0005.jpg)
![IXYS VUM33-05N](files/126/451/9f/prime_presentation_pres_0006.jpg)
![IXYS VUM33-05N](files/126/451/9f/prime_presentation_pres_0007.jpg)
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | IXYS |
Тип модуля | транзисторный |
Конструкция диода | диод/транзистор |
Напряжение сток-исток | 500В |
Ток стока | 33А |
Корпус | V1-B-Pack |
Мощность | 310Вт |
Импульсный ток | 130А |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Монтаж | винтами |
Электрический монтаж | коннекторы 2x0,5мм, под пайку |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 120 |
Рабочая температура | -40...150°C |
Топология | 1-фазный диодный мост, тормозной транзистор |
Описание
- Масса брутто: 0.04 kg