Модули IGBT LITTELFUSE MG12150D-BA1MM

Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:150А; P:1,1кВт; Ifsm:300А; винтами

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
LITTELFUSE MG12150D-BA1MM
Производитель:
LITTELFUSE
Документация язык en
Производитель LITTELFUSE
Тип модуля IGBT
Конструкция диода транзистор/транзистор
Топология полумост IGBT
Обратное напряжение макс. 1.2кВ
Ток коллектора 150
Мощность 1.1кВт
Импульсный ток 300А
Корпус package D
Электрический монтаж винтами
Монтаж винтами
Рабочая температура -40...150°C
Напряжение затвор - эмиттер ±20В

Описание

  • Масса брутто: 0.32 kg
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.