Главная страница > Полупроводники > Микросхемы > Преобразователи питания > ИС управления транзисторами
РаспечататьИС управления транзисторами LM5113TME/NOPB
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Current - peak output (source, sink) | 1.2A, 5A |
| Driven configuration | Half-Bridge |
| Gate type | N-Channel MOSFET |
| High side voltage - max (bootstrap) | 107V |
| Input type | Non-Inverting |
| Logic voltage - vil, vih | 1.76V, 1.89V |
| Mounting type | Surface Mount |
| Number of drivers | 2 |
| Operating temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / case | 12-WFBGA, DSBGA |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part status | Not For New Designs |
| Rise / fall time (typ) | 7ns, 1.5ns |
| Supplier device package | 12-DSBGA |
| Voltage - supply | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Производитель | Texas Instruments |
Описание
IC GATE DRVR HALF BRDG 5A 12SMD
