Память MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Производитель:
Fujitsu Electronics America, Inc.
Документ
| Access time | 150ns |
| Clock frequency | - |
| Memory interface | Parallel |
| Memory size | 256Kb (32K x 8) |
| Memory type | Non-Volatile |
| Mounting type | - |
| Operating temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Package / case | - |
| Packaging | - |
| Part status | Obsolete |
| Supplier device package | - |
| Technology | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Voltage - supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Write cycle time - word, page | 150ns |
| Производитель | Fujitsu Electronics America, Inc. |
Описание
IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
