Транзисторы с каналом N THT MICROSEMI APT5020BVRG
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 26А; 300Вт; TO247
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | MICROSEMI |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | 500В |
Ток стока | 26А |
Мощность | 300Вт |
Корпус | TO247 |
Напряжение затвор-исток | ±30В |
Сопротивление в открытом состоянии | 200мОм |
Монтаж | THT |
Технология | POWER MOS V® |
Вид упаковки | туба |
Заряд затвора | 225 |
Описание
- Масса брутто: 6.1 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.