Транзисторы с каналом N THT MICROSEMI APT5020BVRG

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 26А; 300Вт; TO247

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
MICROSEMI APT5020BVRG
Производитель:
MICROSEMI
Документация язык en
Производитель MICROSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 500В
Ток стока 26А
Мощность 300Вт
Корпус TO247
Напряжение затвор-исток ±30В
Сопротивление в открытом состоянии 200мОм
Монтаж THT
Технология POWER MOS V®
Вид упаковки туба
Заряд затвора 225

Описание

  • Масса брутто: 6.1 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.