Транзисторы с каналом N THT MICROSEMI APT53N60BC6
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 53А; 417Вт; TO247

Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
| Производитель | MICROSEMI |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 600В |
| Ток стока | 53А |
| Мощность | 417Вт |
| Корпус | TO247 |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 70мОм |
| Монтаж | THT |
| Технология | CoolMOS™ |
| Вид упаковки | туба |
| Заряд затвора | 154 |
Описание
- Масса брутто: 6.04 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.

