Главная страница > Полупроводники > Дискретные полупроводниковые модули > Транзисторные модули MOSFET
РаспечататьТранзисторные модули MOSFET MICROSEMI APT58M80J
Модуль; одиночный транзистор; Uds:800В; Id:60А; ISOTOP; 960Вт
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
MICROSEMI APT58M80J
Производитель:
MICROSEMI
Документация язык en
| Производитель | MICROSEMI |
| Тип модуля | транзисторный |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Напряжение сток-исток | 800В |
| Ток стока | 60А |
| Корпус | ISOTOP |
| Мощность | 960Вт |
| Импульсный ток | 325А |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | винтами |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 100 |
| Технология | POWER MOS 8® |
| Рабочая температура | -55...150°C |
Описание
- Масса брутто: 0.03 kg
