Транзисторные модули MOSFET MICROSEMI APT58M80J
Модуль; одиночный транзистор; Uds:800В; Id:60А; ISOTOP; 960Вт
![MICROSEMI APT58M80J](files/126/454/7f/409675.jpg)
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | MICROSEMI |
Тип модуля | транзисторный |
Конструкция диода | одиночный транзистор |
Напряжение сток-исток | 800В |
Ток стока | 60А |
Корпус | ISOTOP |
Мощность | 960Вт |
Импульсный ток | 325А |
Напряжение затвор-исток | ±30В |
Монтаж | винтами |
Электрический монтаж | винтами |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 100 |
Технология | POWER MOS 8® |
Рабочая температура | -55...150°C |
Описание
- Масса брутто: 0.03 kg